发明公开
- 专利标题: 用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法
- 专利标题(英): Infiltration method for preparing single-domain Gd-Ba-Cu-O superconducting block
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申请号: CN200910024034.3申请日: 2009-09-25
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公开(公告)号: CN101665980A公开(公告)日: 2010-03-10
- 发明人: 杨万民 , 李国政
- 申请人: 陕西师范大学
- 申请人地址: 陕西省西安市长安南路199号
- 专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市长安南路199号
- 代理机构: 西安永生专利代理有限责任公司
- 代理商 申忠才
- 主分类号: C30B29/22
- IPC分类号: C30B29/22 ; C04B35/50 ; H01B12/00
摘要:
一种用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法,由配制Gd 2 BaCuO 5 先驱粉、配制液相源粉、压制Gd 2 BaCuO 5 先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法,通过改变液相块所用液相源粉的成分,使得整个熔渗生长过程仅需Gd 2 BaCuO 5 和BaCuO 2 两种先驱粉,简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、节省了能源、提高了效率。采用了Yb 2 O 3 制备支撑块,在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中,稳定地支撑上面的两个坯块,阻止液相的流失。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材,也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
公开/授权文献
- CN101665980B 用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法 公开/授权日:2012-01-11