发明公开
- 专利标题: 互连衬底和半导体器件
- 专利标题(英): Interconnecting substrate and semiconductor device
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申请号: CN200810161065.9申请日: 2006-02-07
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公开(公告)号: CN101673724A公开(公告)日: 2010-03-17
- 发明人: 小川健太 , 塚野纯 , 前田武彦 , 下户直典 , 山道新太郎 , 马场和宏
- 申请人: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 恩益禧电子股份有限公司,日本电气株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 关兆辉; 谢丽娜
- 优先权: 2005-031100 2005.02.07 JP
- 分案原申请号: 2006100068156
- 主分类号: H01L23/498
- IPC分类号: H01L23/498 ; H01L23/12 ; H05K1/02 ; H05K1/11
摘要:
一种互连衬底具有:基底绝缘膜,在其下表面中具有凹陷部;位于凹陷部中的第一互连;形成在基底绝缘膜中的通路孔;以及第二互连,其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上,其中互连衬底包括:由第一互连形成的第一互连图形,其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形;以及翘曲控制图形,其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中,并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。
公开/授权文献
- CN101673724B 互连衬底和半导体器件 公开/授权日:2012-01-11
IPC分类: