- 专利标题: 采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法
- 专利标题(英): Method of producing surface acoustic wave devices by exposing X-rays in a direct writing way
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申请号: CN200810222329.7申请日: 2008-09-17
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公开(公告)号: CN101676797B公开(公告)日: 2011-10-12
- 发明人: 赵以贵 , 刘明 , 牛洁斌
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 周国城
- 主分类号: G03F7/00
- IPC分类号: G03F7/00 ; G03F7/20 ; G03F7/039 ; G03F7/42
摘要:
本发明公开了一种采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法,该方法是利用电子束光刻在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图形,然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。具体步骤包括:在压电衬底上涂敷电子抗蚀剂;前烘;生长对电子束曝光背散射小的金属材料;电子束直写曝光;去除金属层;显影;定影;生长叉指电极金属;剥离。采用这种方法制作的叉指电极的边缘陡直,宽度控制好,可用于制作特征线宽在500nm以下各种声表面波器件。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠的优点。
公开/授权文献
- CN101676797A 采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法 公开/授权日:2010-03-24