发明授权
CN101676931B 半导体器件以及防止用户伪造物体的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件以及防止用户伪造物体的方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and method for preventing counterfeiting object
-
申请号: CN200910173652.4申请日: 2005-10-12
-
公开(公告)号: CN101676931B公开(公告)日: 2012-06-27
- 发明人: 野村亮二 , 安部宽子 , 岩城裕司 , 山崎舜平
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 屠长存
- 优先权: 2004-303595 2004.10.18 JP
- 分案原申请号: 2005800356119 2005.10.12
- 主分类号: G06K19/07
- IPC分类号: G06K19/07 ; G06K19/077 ; B42D15/10 ; H01L27/28 ; G11C13/02 ; B42D109/00
摘要:
本发明提供了一种半导体器件以及防止用户伪造物体的方法。该半导体器件包括:存储器,该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列;控制该存储器的控制电路;和天线,其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线,该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
公开/授权文献
- CN101676931A 半导体器件以及防止用户伪造物体的方法 公开/授权日:2010-03-24