发明授权
CN101681816B 用于薄膜钝化的双靶溅射系统及用该系统形成薄膜的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于薄膜钝化的双靶溅射系统及用该系统形成薄膜的方法
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申请号: CN200880017658.6申请日: 2008-04-24
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公开(公告)号: CN101681816B公开(公告)日: 2011-12-28
- 发明人: 李相铉 , 柳道铉
- 申请人: 塔工程有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 塔工程有限公司
- 当前专利权人: 塔工程有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 吴贵明
- 优先权: 10-2007-0039856 2007.04.24 KR
- 国际申请: PCT/KR2008/002337 2008.04.24
- 国际公布: WO2008/130205 EN 2008.10.30
- 进入国家日期: 2009-11-26
- 主分类号: H01L21/203
- IPC分类号: H01L21/203
摘要:
本发明提供了一种用于薄膜钝化的双靶溅射系统以及一种利用该系统形成薄膜的方法,该系统在彼此相对且相同形状的靶之间产生高密度等离子,从而以高速形成薄膜。用于薄膜钝化的该双靶溅射系统包括:真空室;基底支承件,在真空室内支承基底;一对溅射枪,均朝向基底并包括向一侧或相对两侧打开的轭板以及以规则间隔布置在轭板上的多个磁体;靶,分别安装在一对轭板上;枪支承件,支承一对溅射枪;以及电源,向靶提供电流,其中多个磁体中的每个均包括上部和下部,上部和下部形成一体且磁极彼此不同,多个磁体排列成一行,并且其中,枪支承件或基底支承件可在室中移动。通过使用用于薄膜钝化的双靶溅射系统以及利用该系统形成薄膜的方法,可通过简单的薄膜工艺制造有机发光二极管(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT),而无需使用现有的金属罐或玻璃基底的封装过程,因此简化了过程并降低了制造OLED的初期投资成本。
公开/授权文献
- CN101681816A 用于薄膜钝化的双靶溅射系统及用该系统形成薄膜的方法 公开/授权日:2010-03-24
IPC分类: