Invention Grant
- Patent Title: 一种存储装置及其制造方法
- Patent Title (English): Memory device and its manufacturing method
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Application No.: CN200910159799.8Application Date: 2009-07-22
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Publication No.: CN101685827BPublication Date: 2011-07-20
- Inventor: 龙翔澜 , 林仲汉
- Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- Assignee: 旺宏电子股份有限公司,国际商用机器公司
- Current Assignee: 旺宏电子股份有限公司,国际商用机器公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 周国城
- Priority: 12/177,533 2008.07.22 US
- Main IPC: H01L27/24
- IPC: H01L27/24 ; H01L29/861 ; G11C16/02 ; H01L21/82 ; H01L21/768 ; H01L45/00
Abstract:
本发明公开了一种存储装置及其制造方法。此处所述的存储装置包含多个存储单元。该多个存储单元中的每一存储单元包含:一二极管,其包含有掺杂半导体材料、一介电间隔物,在该二极管上,且定义一开口,该介电间隔物具有与该二极管侧边自我对准的侧边。每一存储单元更包含一存储器元件,在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管的一顶表面接触的一部份。
Public/Granted literature
- CN101685827A 一种存储装置及其制造方法 Public/Granted day:2010-03-31
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IPC分类: