发明授权
CN101688809B 电场增强结构及使用其的检测装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 电场增强结构及使用其的检测装置
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申请号： CN200880021938.4申请日： 2008-06-25
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公开(公告)号： CN101688809B公开(公告)日： 2011-12-14
- 发明人: D·法塔尔 , Z·李 , W·童 , D·斯图尔特 , J·布拉克斯托克
- 申请人： 惠普开发有限公司
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 惠普开发有限公司
- 当前专利权人： 惠普开发有限公司
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 李娜; 王洪斌
- 优先权： 11/823,281 2007.06.26 US
- 国际申请： PCT/US2008/007934 2008.06.25
- 国际公布： WO2009/002524 EN 2008.12.31
- 进入国家日期： 2009-12-25
- 主分类号： G01J3/44
- IPC分类号： G01J3/44 ; G01J4/00
摘要：
本发明的各个方面涉及电场增强结构(100)和使用这样的电场增强结构的检测装置(600、700、800)。在本发明的一个方面中，电场增强结构(100)包括具有表面(104)的衬底(102)。所述衬底(102)能够支持具有平面模式频率的平面模式(114)。多个纳米特征(106)与所述表面(104)相关联，并且每一个纳米特征(106)都呈现出具有近似等于平面模式频率的局部表面等离体子频率的局部表面等离体子模式(116)。
公开/授权文献
- CN101688809A 电场增强结构及使用其的检测装置 公开/授权日：2010-03-31
