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发明公开
CN101689510A 半导体装置及其制造方法、显示装置及其制造方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 半导体装置及其制造方法、显示装置及其制造方法
  • 专利标题（英）： Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, display device and display device manufacturing method
  • 申请号： CN200880023593.6
    申请日： 2008-07-01
  • 公开(公告)号： CN101689510A
    公开(公告)日： 2010-03-31
  • 发明人: 八木岩
  • 申请人： 索尼公司
  • 申请人地址： 日本东京
  • 专利权人： 索尼公司
  • 当前专利权人： 索尼公司
  • 当前专利权人地址： 日本东京
  • 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
  • 代理商 吴孟秋; 梁韬
  • 优先权： 184172/2007 2007.07.13 JP
  • 国际申请： PCT/JP2008/061919 2008.07.01
  • 国际公布： WO2009/011220 JA 2009.01.22
  • 进入国家日期： 2010-01-06
  • 主分类号： H01L21/336
  • IPC分类号： H01L21/336 ;  G02F1/1368 ;  H01L29/786 ;  H01L51/05
半导体装置及其制造方法、显示装置及其制造方法
摘要：
一种半导体装置(19-1)包括：源电极(3s)和漏电极(3d)，配置在基板(1)上；绝缘隔壁(5)，配置在基板(1)上，其具有到达源电极(3s)和漏电极(3d)的端部和在这些电极(3s～3d)之间的第一开口(5a)；沟道部半导体层(7a)，其由自隔壁(5)之上所形成的半导体层(7)构成，并且将其配置在第一开口(5a)的底部上，同时与隔壁(5)上的半导体层(7)分离；栅极绝缘膜(9)，自包括沟道部半导体层(7a)的半导体层(7)之上的所有表面上形成；以及栅电极(11a)，配置在栅极绝缘膜(9)上同时与沟道部半导体层(7a)重叠。
摘要（英）：

A semiconductor device (19-1) is provided with a source electrode (3s) and a drain electrode (3d) arranged on a substrate (1); an insulating partition wall (5), which is provided with a first opening(5a) reaching the end sections of the source electrode (3s) and the drain electrode (3d) and a region between the electrodes (3s, 3d), and is arranged on the substrate (1); a channel section semiconductor layer (7a), which is composed of a semiconductor layer (7) formed from above the partition wall (5), and is arranged at the bottom section of the first opening (5a) by being separated from the semiconductor layer (7) formed on the partition wall (5); a gate insulating film (9) formed entirely over the surface from above the semiconductor layer (7) including a channel section semiconductor layer (7a); and a gate electrode (11a) arranged on the gate insulating film (9) over the channel section semiconductor layer (7a).

公开/授权文献
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