本发明公开了一种电子束制备HfO2/SiO2多层反射膜的方法。1)、用金属颗粒代替镀膜材料氧化鉿(HfO2)，采用扫描电子束结构。金属铪在电子束轰击下，在电子枪坩锅内全部融化，不会因电子束弯曲和能量不均匀造成材料中隧道，使膜层产生缺陷。2)、用石英玻璃片代替SiO2颗粒，采用高速扫描电子束结构和环行坩锅，在电子束轰击和环行坩锅连续转动下，石英玻璃片均匀蒸发，不会因电子束打在SiO2颗粒缝穴间和能量不均匀造成材料中隧道，使膜层产生缺陷。3)、使用离化的带有100-200eV能量的离子束轰击蒸发膜层，离化氧离子使膜层充分氧化，形成完整化学计量比膜层，有效消除吸收。