发明公开
CN101719457A 一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极
- 专利标题(英): Superconducting coil-based high-intensity magnetic field magnetic control sputtering cathode
-
申请号: CN200910093159.1申请日: 2009-09-25
-
公开(公告)号: CN101719457A公开(公告)日: 2010-06-02
- 发明人: 邱清泉 , 肖立业 , 黄天斌 , 张国民 , 李晓航
- 申请人: 中国科学院电工研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 代理机构: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- 代理商 关玲; 贾玉忠
- 主分类号: H01J37/34
- IPC分类号: H01J37/34 ; C23C14/35
摘要:
一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极。由平面靶材(1)、水冷背板(2)超导线圈(3)、外磁轭(4)、内磁轭(5)和底磁轭(6)、杜瓦(7)和阴极电源构成;超导线圈(3)置于在由外磁轭(4)、内磁轭(5)和底磁轭(6)包围的空间内,超导线圈(3)和外磁轭(4)、内磁轭(5)和底磁轭(6)安装在杜瓦(7)中,由液氮循环冷却、液氮加制冷机冷却或制冷机直接冷却。超导线圈(3)根据不同应用场合,可绕制成跑道形或圆形结构,通过电流引线连接到外部直流电源。
公开/授权文献
- CN101719457B 一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极 公开/授权日:2012-05-30