本发明公开了一种深沟槽接触孔二次刻蚀方法，包括以下步骤：1、接触孔曝光；2、第一次深槽接触孔刻蚀；3、去胶，第二次深槽接触孔刻蚀；4、形成连接层；其中，第二次深槽接触孔刻蚀的气流量为3000—4000标准立方厘米，气流速度为150—200标准立方厘米/秒。本发明还公开了一种深沟槽二次刻蚀接触孔，接触孔上面宽下面窄，且接触孔侧面表面连续，不存在断裂。本发明方法形成比较光滑的瓶塞状，解决了金属填充的断层与空洞等问题。更改金属与硅之间连接层工艺，减小器件漏电，调节出满足性能要求的器件。