功率MOSFET器件雪崩能量测试仪
Abstract:
本发明公开了一种功率MOSFET器件雪崩能量测试仪,包括前端雪崩测试电路和后端雪崩电流采样电路,所述前端雪崩测试电路的硬件结构是,包括可调直流电源,可调直流电源与保险丝、MOSFET器件、电感、电流感应器、待测MOSFET器件依次连接构成回路;MOSFET器件的漏极与待测MOSFET器件的源极之间并联有电解电容和瓷片电容;MOSFET器件的源极与待测MOSFET器件的源极之间连接有二极管;所述后端雪崩电流采样电路的结构是,信号调理电路和基准源电路与模数转换器连接,模数转换器与FPGA控制逻辑连接,FPGA控制逻辑分别与测试机信号连接器、MOS驱动电路和分选机信号连接器连接。本发明的测试仪能提供高瞬间电流进行雪崩能量测试。
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