Invention Grant
- Patent Title: 功率MOSFET器件雪崩能量测试仪
- Patent Title (English): Avalanche energy tester of power MOSFET device
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Application No.: CN200910219513.0Application Date: 2009-12-16
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Publication No.: CN101750539BPublication Date: 2012-01-11
- Inventor: 李志强
- Applicant: 西安明泰半导体科技有限公司
- Applicant Address: 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区1号瞪羚谷E栋六层605
- Assignee: 西安明泰半导体科技有限公司
- Current Assignee: 西安明泰半导体科技有限公司
- Current Assignee Address: 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区1号瞪羚谷E栋六层605
- Agency: 西安弘理专利事务所
- Agent 罗笛
- Main IPC: G01R22/00
- IPC: G01R22/00 ; G01R31/26
Abstract:
本发明公开了一种功率MOSFET器件雪崩能量测试仪,包括前端雪崩测试电路和后端雪崩电流采样电路,所述前端雪崩测试电路的硬件结构是,包括可调直流电源,可调直流电源与保险丝、MOSFET器件、电感、电流感应器、待测MOSFET器件依次连接构成回路;MOSFET器件的漏极与待测MOSFET器件的源极之间并联有电解电容和瓷片电容;MOSFET器件的源极与待测MOSFET器件的源极之间连接有二极管;所述后端雪崩电流采样电路的结构是,信号调理电路和基准源电路与模数转换器连接,模数转换器与FPGA控制逻辑连接,FPGA控制逻辑分别与测试机信号连接器、MOS驱动电路和分选机信号连接器连接。本发明的测试仪能提供高瞬间电流进行雪崩能量测试。
Public/Granted literature
- CN101750539A 功率MOSFET器件雪崩能量测试仪 Public/Granted day:2010-06-23
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