发明授权
CN101752094B 纳米金属掺杂的光子晶体结构电极及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 纳米金属掺杂的光子晶体结构电极及其制备方法
- 专利标题(英): Electrode in a photonic crystal structure mixed with nano metal and making method thereof
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申请号: CN201010114925.0申请日: 2010-02-26
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公开(公告)号: CN101752094B公开(公告)日: 2011-06-01
- 发明人: 胡晓斌 , 邓文歆 , 张荻 , 赵斌元
- 申请人: 上海交通大学
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海交达专利事务所
- 代理商 王锡麟; 王桂忠
- 主分类号: H01G9/042
- IPC分类号: H01G9/042 ; H01G9/20 ; H01M14/00 ; H01L51/44 ; H01L51/48
摘要:
一种太阳能电池技术领域的纳米金属掺杂的光子晶体结构电极及其制备方法,电极包括基板和附着于基板上的二氧化钛薄膜,二氧化钛薄膜内含有表面孔阵列并掺杂有纳米金粒子。制备方法包括:制成胶体微球;制成光子晶体正模板;制成薄膜粗坯;制成载有反蛋白石结构的二氧化钛薄膜;制成掺杂纳米金的光子晶体二氧化钛薄膜;制成用于染料太阳能电池的掺金的光子晶体结构薄膜电极。本发明制备方法原料廉价、易得,工艺简单,成本低,适用范围广,制备所得电极吸收光谱显著拓展到可见光区域,吸收峰增强,并且反射光强减弱,改善了对光的吸收效果。
公开/授权文献
- CN101752094A 纳米金属掺杂的光子晶体结构电极及其制备方法 公开/授权日:2010-06-23