• 专利标题: 一种铝熔体提纯金属硅的方法
  • 专利标题(英): Method for purifying metallic silicon by using aluminum melt
  • 申请号: CN201010040053.8
    申请日: 2010-01-19
  • 公开(公告)号: CN101759188B
    公开(公告)日: 2012-01-25
  • 发明人: 杨德仁顾鑫余学功
  • 申请人: 浙江大学
  • 申请人地址: 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
  • 专利权人: 浙江大学
  • 当前专利权人: 浙江大学
  • 当前专利权人地址: 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
  • 代理机构: 杭州天勤知识产权代理有限公司
  • 代理商 胡红娟
  • 主分类号: C01B33/037
  • IPC分类号: C01B33/037
一种铝熔体提纯金属硅的方法
摘要:
本发明公开了一种铝熔体提纯金属硅方法,包括如下步骤:首先将金属硅去油、洗净得到洗净后的金属硅;再将铝熔体倒入洗净后的金属硅中,让洗净后的金属硅表面附着一层铝熔体,冷却凝固;将冷却凝固的的产物在惰性气氛中加热、保温,冷却至室温后用盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡数小时,用去离子水清洗干净。本发明利用了硅中铝吸杂的原理,对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理,得到较纯的硅材料,以用于后续的提纯工艺,是一种低成本、低能耗、简便易行的物理法提纯制备太阳能级硅的方法,能将金属硅纯度初步提纯到99.99%~99.999%(4~5N),可以作为太阳能电池用硅材料或进一步提纯的原料。
公开/授权文献
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