Invention Grant
- Patent Title: 一种CMOS器件辐照位移损伤的估算方法
-
Application No.: CN200910243155.7Application Date: 2009-12-30
-
Publication No.: CN101763446BPublication Date: 2012-02-01
- Inventor: 薛守斌 , 王思浩 , 黄如 , 张兴
- Applicant: 北京大学
- Applicant Address: 北京市海淀区颐和园路5号
- Assignee: 北京大学
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,北京大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区颐和园路5号
- Agency: 北京万象新悦知识产权代理事务所
- Agent 贾晓玲
- Main IPC: G06F17/50
- IPC: G06F17/50 ; H01L21/8238

Abstract:
本发明提供了一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法,属于涉及CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该方法包括:根据入射粒子打到器件源漏端、沟道区和隔离区三个不同位置,建立一计算公式:Ids=prob1×case1+prob2×case2+prob3×case3,其中,case是入射粒子打到器件不同位置处的位移损伤造成器件漏端电流变化,prob是入射粒子打到器件不同位置的概率,根据该计算公式,得到入射粒子位移损伤造成器件漏端电流的变化量Ids,从而估算出CMOS器件在辐射环境中的位移损伤。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。
Public/Granted literature
- CN101763446A 一种CMOS器件辐照位移损伤的估算方法 Public/Granted day:2010-06-30
Information query