Invention Grant
- Patent Title: 一种高靶材利用率的矩形靶
- Patent Title (English): Rectangular target with high target utilization ratio
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Application No.: CN201010104349.1Application Date: 2010-02-01
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Publication No.: CN101775588BPublication Date: 2011-09-07
- Inventor: 刘咸成 , 王慧勇 , 刘嘉宾 , 贾京英 , 龚杰宏
- Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- Applicant Address: 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
- Assignee: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- Current Assignee: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- Current Assignee Address: 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
- Agency: 长沙正奇专利事务所有限责任公司
- Agent 马强
- Main IPC: C23C14/35
- IPC: C23C14/35
Abstract:
一种高靶材利用率的矩形靶,用于磁控溅射金属镀膜;它的水冷座经绝缘板固定在靶基座上;四条钕铁硼永磁材料的边永磁体围成一个封闭的四边形框并嵌装在水冷座上,做为N极;一条钕铁硼永磁材料的中间永磁体位于四边形框中间并嵌装在水冷座上,做为S极;边永磁体为长方体且朝向四边形框内一侧上部为倒角,中间永磁体为长方体且对应两侧上部也为倒角;位于永磁体上方的靶材衬板固定在水冷座顶部,靶材经靶材压板固定安装在靶材衬板上。它具有很好的镀膜均匀性和较高的靶材利用率,还显著提高了溅射率和生产效率。
Public/Granted literature
- CN101775588A 一种高靶材利用率的矩形靶 Public/Granted day:2010-07-14
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IPC分类: