发明授权
CN101789381B 金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件
- 专利标题(英): Metallic electrode forming method and semiconductor device having metallic electrode
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申请号: CN201010129988.3申请日: 2008-03-06
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公开(公告)号: CN101789381B公开(公告)日: 2012-05-16
- 发明人: 富坂学 , 小岛久稔 , 新美彰浩
- 申请人: 株式会社电装
- 申请人地址: 日本爱知县
- 专利权人: 株式会社电装
- 当前专利权人: 株式会社电装
- 当前专利权人地址: 日本爱知县
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈松涛; 王英
- 优先权: 055982/2007 2007.03.06 JP; 194016/2007 2007.07.26 JP; 222762/2007 2007.08.29 JP; 337039/2007 2007.12.27 JP
- 分案原申请号: 2008100824576 2008.03.06
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L21/304 ; H01L21/321
摘要:
本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件,其中一种金属电极形成方法包括:在衬底(11)上形成基底电极(12);形成保护膜(13,53),其在基底电极上具有开口(13a,53a),以从该开口将基底电极暴露出来;形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14,54);在吸附台(21)上固定衬底,并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状;通过形变装置(24)使衬底形变,使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内;测量主表面的表面形状,并判断该差异是否在预定范围内;以及沿该切削表面切削衬底,以将金属膜构图成金属电极(15,55)。
公开/授权文献
- CN101789381A 金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件 公开/授权日:2010-07-28
IPC分类: