本发明涉及一种太阳能电池制作方法，采用离子注入方法在硅片中形成一注入层，然后将此硅片作为器件片；通过薄膜沉积，电镀，磁控溅射等方法在玻璃、塑料、陶瓷、不锈钢等衬底上生长SiO2或SiC、Al2O3、Si3N4中的一种或两种薄膜作为介质层和隔离层，然后沉积Al膜后和器件片键合在一起，再通过退火实现硅层转移，根据转移过来的硅层表面粗燥度程度决定是否进行腐蚀和抛光，最后形成薄层硅材料。通过掺硼、磷等在薄层硅上制作p-n结，通过丝网印刷、光刻、电子束蒸发、电子镀等制作电极，最后得到太阳能电池。该方法既有晶体硅太阳能电池的高效率、高稳定的优势，又发挥了薄层材料节约硅用量的特点，减少工艺步骤，降低成本。