用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用

发明公开

CN101794088A 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用失效 - 权利终止

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专利标题： 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用
专利标题（英）： Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof
申请号： CN201010113978.0

申请日： 2005-07-22
公开(公告)号： CN101794088A

公开(公告)日： 2010-08-04
发明人: M·I·埃格贝 , D·G·詹宁斯
申请人： 气体产品与化学公司
申请人地址： 美国宾夕法尼亚州
专利权人： 气体产品与化学公司
当前专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
当前专利权人地址： 美国宾夕法尼亚州
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 刘健; 林森
优先权： 10/896589 2004.07.22 US
分案原申请号： 2005100875451 2005.07.22
主分类号： G03F7/42
IPC分类号： G03F7/42 ; C11D7/32 ; C11D7/26 ; C11D7/50 ; H01L21/02

摘要：

含有一些有机溶剂和季铵化合物的组合物能够将残留物例如光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物从物品上除去，其中所述有机溶剂包含至少505重量的二醇醚。

摘要（英）：

Compositions containing certain organic solvents comprising at least 50% by weight of a glycol ether and a quaternary ammonium compound are capable of removing residues such as photoresist and/or etching residue from an article.

公开/授权文献

CN101794088B 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用公开/授权日：2013-04-24

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IPC分类:

G	物理
G03	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F	图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G）
G03F7/00	图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L21/00，H05K）
G03F7/26	.感光材料的处理及其设备（G03F7/12至G03F7/24优先）
G03F7/42	..剥离或剥离剂