发明公开
CN101794321A 考虑励磁阻抗非线性影响的单相三绕组自耦变压器模型
失效 - 权利终止
- 专利标题: 考虑励磁阻抗非线性影响的单相三绕组自耦变压器模型
- 专利标题(英): Single-phase three-winding autotransformer model taking account of nonlinear influences of excitation impedance
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申请号: CN200910087692.7申请日: 2009-06-25
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公开(公告)号: CN101794321A公开(公告)日: 2010-08-04
- 发明人: 岳昊 , 徐永海 , 朱永强 , 肖湘宁 , 刘颖英
- 申请人: 华北电力大学
- 申请人地址: 北京市德胜门外朱辛庄华北电力大学
- 专利权人: 华北电力大学
- 当前专利权人: 华北电力大学
- 当前专利权人地址: 北京市德胜门外朱辛庄华北电力大学
- 代理机构: 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理商 史双元
- 主分类号: G06F17/50
- IPC分类号: G06F17/50 ; H01F30/02 ; H01F41/00
摘要:
本发明公开了属于变压器技术领域的一种考虑励磁阻抗非线性影响的单相三绕组自耦变压器模型。包括单相三绕组降压自耦变压器基本的电路与磁路方程、单相三绕组自耦变压器的等效电路、单相三绕组升压自耦变压器等效电路、激磁阻抗zm的表达式和考虑励磁阻抗非线性影响的单相三绕组自耦变压器模型表达式。本发明提出的自耦变压器模型既考虑了高、中压绕组之间的磁的耦合也考虑了电的联系,比用普通三绕组变压器代替三绕组自耦变压器进行谐波特性仿真的结果更真实。激磁阻抗不但包括了通常不可忽略的反映铁心饱和特性的非线性电感,同时也考虑了反映铁耗的非线性电阻,对于分析变压器的谐波特性更为精确。
公开/授权文献
- CN101794321B 建立考虑励磁阻抗非线性影响的单相三绕组自耦变压器模型的方法 公开/授权日:2013-03-06