Invention Grant
CN101794805B 受发光装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 受发光装置
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Application No.: CN201010108075.3Application Date: 2010-01-28
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Publication No.: CN101794805BPublication Date: 2012-02-08
- Inventor: 望月理光
- Applicant: 精工爱普生株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 李贵亮
- Priority: 2009-018307 2009.01.29 JP
- Main IPC: H01L27/15
- IPC: H01L27/15
Abstract:
本发明提供一种受发光装置。该装置具有半导体层,其包含第一包层、在第一包层上方形成的有源层、在有源层的上方形成的第二包层,就半导体层而言,通过分离槽被电分离为发光区域和受光区域;发光区域的有源层中的至少一部分构成增益区域,增益区域从设置在发光区域的有源层的第一侧面的第一端面到设置在第一侧面的第二端面为止连续;增益区域具有在从第一端面到第二端面之间使增益区域产生的光反射的反射面;在反射面设有镜部,从第一端面延伸的第一部分所产生的光的一部分在反射面反射并从第二端面射出,从第二端面延伸的第二部分所产生的光的一部分在反射面反射并从第一端面射出;增益区域所产生的光的一部分在反射面透过镜部,发光区域的半导体层对透过镜部的光进行接收。
Public/Granted literature
- CN101794805A 受发光装置 Public/Granted day:2010-08-04
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IPC分类: