- 专利标题： 外延SiC单晶衬底及外延SiC单晶衬底的制造方法
- 专利标题（英）： Epitaxial SIC single crystal substrate and method for manufacturing epitaxial SIC single crystal substrate
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申请号： CN200880106397.5申请日： 2008-09-12
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公开(公告)号： CN101802273B公开(公告)日： 2013-04-17
- 发明人: 百瀬賢治 , 小田原道哉 , 松沢圭一 , 奥村元 , 児島一聡 , 石田夕起 , 土田秀一 , 鎌田功穗
- 申请人： 昭和电工株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 财团法人电力中央研究所
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 昭和电工株式会社,独立行政法人产业技术综合研究所,财团法人电力中央研究所
- 当前专利权人： 昭和电工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 段承恩; 陈海红
- 优先权： 236661/2007 2007.09.12 JP; 211757/2008 2008.08.20 JP
- 国际申请： PCT/JP2008/066571 2008.09.12
- 国际公布： WO2009/035095 JA 2009.03.19
- 进入国家日期： 2010-03-10
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; C30B29/36 ; C23C16/42 ; C30B25/20
摘要：
一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。
公开/授权文献
- CN101802273A 外延SiC单晶衬底及外延SiC单晶衬底的制造方法 公开/授权日：2010-08-11
IPC分类:
