发明授权
- 专利标题： 纵向沟道SOILDMOS的CMOSVLSI集成制作方法
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申请号： CN201010136068.4申请日： 2010-03-30
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公开(公告)号： CN101819948B公开(公告)日： 2011-11-30
- 发明人: 张海鹏 , 苏步春 , 张亮 , 孙玲玲 , 张帆 , 李文钧
- 申请人： 杭州电子科技大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 专利权人： 杭州电子科技大学
- 当前专利权人： 海安县科技成果转化服务中心
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 代理机构： 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 杜军
- 主分类号： H01L21/8238
- IPC分类号： H01L21/8238 ; H01L21/8234 ; H01L21/84
摘要：
本发明涉及纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现纵向栅和栅场板结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向掺杂分布的离子注入阱和阱欧姆接触掺杂工艺，在源区掺杂的同时进行栅极和漏极掺杂的方法来实现。本发明采用现有SOI CMOS VLSI工艺技术，在稍微增加工艺复杂度与工艺成本条件下使集成功率与射频SOILDMOS器件的电学与热学性能得到显著改善。
公开/授权文献
- CN101819948A 纵向沟道SOILDMOS的CMOSVLSI集成制作方法 公开/授权日：2010-09-01
IPC分类:
