• 专利标题: 半导体磁敏传感器特性演示仪
  • 专利标题(英): Semiconductor magnetic sensor characteristic demonstrator
  • 申请号: CN201010174853.9
    申请日: 2010-04-27
  • 公开(公告)号: CN101826268B
    公开(公告)日: 2012-03-28
  • 发明人: 施文娟
  • 申请人: 盐城师范学院
  • 申请人地址: 江苏省盐城市开放大道50号
  • 专利权人: 盐城师范学院
  • 当前专利权人: 盐城师范学院
  • 当前专利权人地址: 江苏省盐城市开放大道50号
  • 主分类号: G09B23/18
  • IPC分类号: G09B23/18
半导体磁敏传感器特性演示仪
摘要:
本发明涉及一种半导体磁敏传感器特性演示仪,属于演示仪器技术领域。电路由霍尔元件、磁敏二极管、磁敏三极管、发光二极管、5G21集成电路、电阻、转换开关、电源开关和电压表组成,其特征是:霍尔元件输出端的一端和转换开关相连,另一端和5G21集成电路的3脚相连,四只磁敏二二极管组成磁敏电桥,磁敏电桥输出端的一端和转换开关相连,另一端和5G21集成电路的3脚相连,二只磁敏三极管和电阻连接成差分放大电路,差分放大电路输出端的一端和转换开关相连,另一端和5G21集成电路的3脚相连,转换开关公共端和5G21集成电路的2脚相连,由于采用上述技术方案,发明所具有的优点和积极效果是:演示效果好,造价低廉。
公开/授权文献
0/0