Invention Grant
- Patent Title: 经外延涂布的硅晶片和经外延涂布的硅晶片的生产方法
- Patent Title (English): Epitaxially coated silicon wafer and method for producing an epitaxially coated silicon wafer
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Application No.: CN201010116570.9Application Date: 2010-02-10
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Publication No.: CN101838848BPublication Date: 2013-04-03
- Inventor: F·帕塞克 , F·劳贝 , M·皮克尔 , R·绍尔
- Applicant: 硅电子股份公司
- Applicant Address: 德国慕尼黑
- Assignee: 硅电子股份公司
- Current Assignee: 硅电子股份公司
- Current Assignee Address: 德国慕尼黑
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 苗征; 于辉
- Priority: 102009011622.2 2009.03.04 DE
- Main IPC: H01L21/304
- IPC: H01L21/304 ; H01L21/302 ; H01L21/20 ; C30B29/06 ; C30B25/02
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Abstract:
本发明涉及经外延涂布的硅晶片,所述硅晶片具有前侧,后侧和边缘区域,所述边缘区域含有经圆整和抛光的硅晶片边缘以及接近于边缘且在前侧和后侧的宽度各为3mm的区域,其特征在于,相对于10-80μm的空间波长范围,所述边缘区域中的表面粗糙度为0.1-1.5nm RMS,以及表面粗糙度的变化为1-10%。本发明也涉及经外延涂布的硅晶片的生产方法。
Public/Granted literature
- CN101838848A 经外延涂布的硅晶片和经外延涂布的硅晶片的生产方法 Public/Granted day:2010-09-22
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