发明授权
CN101847610B 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and manufacturing method thereof
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申请号： CN201010143224.X申请日： 2010-03-24
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公开(公告)号： CN101847610B公开(公告)日： 2012-12-19
- 发明人: 三原一郎
- 申请人： 兆装微股份有限公司
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 兆装微股份有限公司
- 当前专利权人： 兆装微股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 许玉顺; 胡建新
- 优先权： 075277/2009 2009.03.25 JP
- 主分类号： H01L23/31
- IPC分类号： H01L23/31 ; H01L23/29 ; H01L21/56
摘要：
一种半导体装置及其制造方法。在硅衬底(1)的上表面形成有构成集成电路的多个电路元件，在其上设有钝化膜(3)以及第一保护膜(3)。在硅衬底(1)的上表面周边部设有与集成电路连接的多个连接焊盘(2a、2b)。在第一保护膜(3)的除了周边部之外的上表面设有第二保护膜(7)。在第二保护膜(7)的上表面上设有螺旋形状的薄膜感应元件(11)。在该情况下，第一和第二保护膜(5、7)的合计厚度形成得比较厚，由此能够降低因硅衬底(1)中产生涡流而引起的薄膜感应元件(11)的涡流损失。
公开/授权文献
- CN101847610A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2010-09-29
IPC分类:
