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发明公开
CN101853806A 形成功能元件的方法以及其形成的功能元件、制造功能装置的方法以及其制造的功能装置 失效 - 放弃专利权

  • 专利标题： 形成功能元件的方法以及其形成的功能元件、制造功能装置的方法以及其制造的功能装置
  • 专利标题（英）： Method for forming functional element using metal-to-insulator transition material, functional element formed by method, method for producing functional device, and functional device produced by method
  • 申请号： CN201010129253.0
    申请日： 2010-03-09
  • 公开(公告)号： CN101853806A
    公开(公告)日： 2010-10-06
  • 发明人: 伊藤大辅
  • 申请人： 索尼公司
  • 申请人地址： 日本东京都
  • 专利权人： 索尼公司
  • 当前专利权人： 索尼公司
  • 当前专利权人地址： 日本东京都
  • 代理机构： 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
  • 代理商 王安武; 南霆
  • 优先权： 2009-062759 2009.03.16 JP
  • 主分类号： H01L21/768
  • IPC分类号： H01L21/768 ;  H01L23/532
形成功能元件的方法以及其形成的功能元件、制造功能装置的方法以及其制造的功能装置
摘要：
本发明涉及形成功能元件的方法以及其形成的功能元件、制造功能装置的方法以及其制造的功能装置。形成功能元件的方法包括第一步骤和第二步骤：第一步骤中，形成由用作为金属至绝缘体转变材料的过渡金属元素氧化物的绝缘体相构成的绝缘体层，过渡金属元素氧化物主要由氧化钒构成；第二步骤中，使部分绝缘层转变为金属相，其中绝缘体相和金属相在电阻率与/或光的透射比的方面不同。
摘要（英）：

A method for forming a functional element includes a first step of forming an insulating layer composed of an insulator phase of a transition metal oxide serving as a metal-to-insulator transition material, the transition metal oxide being mainly composed of vanadium dioxide, and a second step of causing part of the insulating layer to transition to a metallic phase, in which the insulator phase differs from the metallic phase in terms of electrical resistivity and/or light transmittance.

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