发明授权
CN101855682B 导体组件和导体组件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 导体组件和导体组件的制造方法
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申请号: CN200880115796.8申请日: 2008-10-01
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公开(公告)号: CN101855682B公开(公告)日: 2014-10-15
- 发明人: 雷纳·迈因克
- 申请人: 先锋磁体实验室有限公司 , 雷纳·迈因克
- 申请人地址: 美国佛罗里达州
- 专利权人: 先锋磁体实验室有限公司,雷纳·迈因克
- 当前专利权人: 先锋磁体实验室有限公司,雷纳·迈因克
- 当前专利权人地址: 美国佛罗里达州
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张焕生; 谢丽娜
- 优先权: 60/976,985 2007.10.02 US; 12/133,613 2008.06.05 US; 12/133,645 2008.06.05 US; 12/133,676 2008.06.05 US; 12/133,739 2008.06.05 US; 12/133,721 2008.06.05 US; 12/133,760 2008.06.05 US
- 国际申请: PCT/US2008/078391 2008.10.01
- 国际公布: WO2009/073272 EN 2009.06.11
- 进入国家日期: 2010-05-12
- 主分类号: H01F27/28
- IPC分类号: H01F27/28
摘要:
一种导体组件,该类型的导体组件在传导电流时生成磁场或者在存在变化磁场的情况中感生电压。在所述组件的一个实施例中,管形的第一层围绕轴形成。该轴包括弯曲部分,可沿该弯曲部分安置导体以限定第一导体路径。第一层也包括弯曲部分,第一层的弯曲部分具有包括沿轴的弯曲部分延伸的弯曲的形状。第一导体围绕第一层的弯曲部分以第一螺旋配置布置,这种配置包括螺旋形的并且围绕轴的弯曲部分形成的弯曲段。该配置能够承受具有沿所述轴的横向取向的多极分量的磁场。
公开/授权文献
- CN101855682A 导体组件和导体组件的制造方法 公开/授权日:2010-10-06