发明授权
- 专利标题： 透射电镜微栅的制备方法
- 专利标题（英）： Preparation method of TEM micro grid
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申请号： CN201010146837.9申请日： 2010-04-14
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公开(公告)号： CN101866805B公开(公告)日： 2012-03-14
- 发明人: 潜力 , 范立 , 刘亮 , 冯辰 , 王昱权
- 申请人： 北京富纳特创新科技有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区清华大学学研综合楼B座1115号
- 专利权人： 北京富纳特创新科技有限公司
- 当前专利权人： 北京富纳特创新科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华大学学研综合楼B座1115号
- 主分类号： H01J37/20
- IPC分类号： H01J37/20 ; H01J9/00
摘要：
本发明涉及一种透射电镜微栅的制备方法，包括以下步骤：提供一支撑环；提供一片状碳纳米管结构预制体，铺设所述片状碳纳米管结构预制体于所述支撑环；按预定尺寸切割所述片状碳纳米管结构预制体，形成一片状碳纳米管结构；以及固定所述片状碳纳米管结构于所述支撑环。
公开/授权文献
- CN101866805A 透射电镜微栅的制备方法 公开/授权日：2010-10-20
