深沟槽填充方法

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专利标题： 深沟槽填充方法
专利标题（英）： Method for filling deep trench
申请号： CN200910057251.2

申请日： 2009-05-13
公开(公告)号： CN101887852B

公开(公告)日： 2012-08-01
发明人: 缪燕 , 谢烜 , 季伟 , 彭虎
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址： 上海市浦东新区川桥路1188号
专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
当前专利权人地址： 上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
代理商 顾继光
主分类号： H01L21/312
IPC分类号： H01L21/312 ; H01L21/311 ; H01L21/316 ; C23C16/44

摘要：

本发明公开了一种深沟槽填充方法，在对深沟槽进行填充的时候，先淀积第一层压缩应力的薄膜，然后采用TEOS-O3基AP/SA CVD淀积第二层拉伸应力的薄膜，从而完成对深沟槽的填充。本发明通过两次性能不同的薄膜淀积，使得沟槽填充不仅具有良好的台阶覆盖达到良好的填孔性能，而且填孔薄膜有较小的拉伸应力以防止产生缺陷或在薄膜内部及界面产生开裂。

摘要（英）：

The invention discloses a method for filling a deep trench, which comprises the following steps: when the deep trench is filled, firstly depositing a first compression stress film layer, and then depositing a second tensile stress film layer using TEOS-O3-based AP/SA CVD to complete filling of the deep trench. In the invention, by adopting deposition of films with different performances for twice, the method for filling the deep trench achieves good step coverage and good pore filling performance, and the filling films have smaller tensile strength to prevent generating defects or cracks in the films or on the interface.

公开/授权文献

CN101887852A 深沟槽填充方法公开/授权日：2010-11-17

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/312	......有机层，例如光刻胶（H01L21/3105、H01L21/32优先）