Invention Grant
- Patent Title: 绝缘栅E模式晶体管
-
Application No.: CN200880120050.6Application Date: 2008-11-26
-
Publication No.: CN101897029BPublication Date: 2015-08-12
- Inventor: 徐昌秀 , 伊兰·本-雅各布 , 罗伯特·科菲 , 乌梅什·米什拉
- Applicant: 特兰斯夫公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 特兰斯夫公司
- Current Assignee: 特兰斯夫公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 孙志湧; 穆德骏
- Priority: 61/012,755 2007.12.10 US
- International Application: PCT/US2008/085031 2008.11.26
- International Announcement: WO2009/076076 EN 2009.06.18
- Date entered country: 2010-06-10
- Main IPC: H01L29/78
- IPC: H01L29/78 ; H01L29/768 ; H01L21/336 ; H01L29/00

Abstract:
本文描述了一种增强模式III族氮化物晶体管,其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和/或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。
Public/Granted literature
- CN101897029A 绝缘栅E模式晶体管 Public/Granted day:2010-11-24
Information query
IPC分类: