一种单晶生长热系统的煅烧处理方法及其装置
摘要:
本发明涉及加工太阳能硅电池的单晶生长炉领域的技术。一种单晶炉热系统的煅烧处理方法,其特征在于:一种专用煅烧容器,具有可开启和密闭的容器门,煅烧容器内部空间尺寸大于包括石墨器件、保温层的单晶炉热系统外形尺寸;专用煅烧容器内部周壁为电加热方式加热,加热温度为1600-2000℃,容器内煅烧时为真空状态,冷态真空度小于等于达1Pa;单晶炉热系统以整套或拆散方式放置在专用煅烧容器内煅烧。本发明相应提供了一种单晶生长热系统的煅烧处理的装置。由此,本发明首创改变只能在单晶炉中加热煅烧单晶炉热系统的处理方法,另外专制供煅烧处理单晶炉热系统的装置;煅烧零部件更加灵活机动,提高煅烧处理效果和效率,节省能源。
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