发明授权
CN101914807B 一种单晶生长热系统的煅烧处理方法及其装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种单晶生长热系统的煅烧处理方法及其装置
- 专利标题(英): Calcining processing method and device thereof of single crystal growth thermal system
-
申请号: CN201010259638.9申请日: 2010-08-23
-
公开(公告)号: CN101914807B公开(公告)日: 2012-03-28
- 发明人: 施承启 , 李海波 , 胡如权 , 张永超
- 申请人: 上海卡姆丹克太阳能科技有限公司 , 卡姆丹克太阳能(江苏)有限公司
- 申请人地址: 上海市南汇区南汇工业园区园迪路16号
- 专利权人: 上海卡姆丹克太阳能科技有限公司,卡姆丹克太阳能(江苏)有限公司
- 当前专利权人: 上海卡姆丹克太阳能科技有限公司,卡姆丹克太阳能(江苏)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市南汇区南汇工业园区园迪路16号
- 代理机构: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司
- 代理商 季申清
- 主分类号: C30B15/00
- IPC分类号: C30B15/00
摘要:
本发明涉及加工太阳能硅电池的单晶生长炉领域的技术。一种单晶炉热系统的煅烧处理方法,其特征在于:一种专用煅烧容器,具有可开启和密闭的容器门,煅烧容器内部空间尺寸大于包括石墨器件、保温层的单晶炉热系统外形尺寸;专用煅烧容器内部周壁为电加热方式加热,加热温度为1600-2000℃,容器内煅烧时为真空状态,冷态真空度小于等于达1Pa;单晶炉热系统以整套或拆散方式放置在专用煅烧容器内煅烧。本发明相应提供了一种单晶生长热系统的煅烧处理的装置。由此,本发明首创改变只能在单晶炉中加热煅烧单晶炉热系统的处理方法,另外专制供煅烧处理单晶炉热系统的装置;煅烧零部件更加灵活机动,提高煅烧处理效果和效率,节省能源。
公开/授权文献
- CN101914807A 一种单晶生长热系统的煅烧处理方法及其装置 公开/授权日:2010-12-15
IPC分类: