Invention Publication
- Patent Title: 多晶MgO烧结体及其制造方法以及溅射用MgO靶材
- Patent Title (English): Polycrystalline MgO sintered compact, process for producing polycrystalline mgo sintered compact, and MgO target for sputtering
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Application No.: CN200980103400.2Application Date: 2009-01-27
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Publication No.: CN101925555APublication Date: 2010-12-22
- Inventor: 永野光芳 , 高巢正信 , 在田洋 , 佐野聪
- Applicant: 日本钨合金株式会社 , 宇部材料工业株式会社
- Applicant Address: 日本福冈县
- Assignee: 日本钨合金株式会社,宇部材料工业株式会社
- Current Assignee: 日本钨合金株式会社,宇部材料工业株式会社
- Current Assignee Address: 日本福冈县
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 李帆
- Priority: 2008-016246 2008.01.28 JP
- International Application: PCT/JP2009/051259 2009.01.27
- International Announcement: WO2009/096384 JA 2009.08.06
- Date entered country: 2010-07-28
- Main IPC: C04B35/053
- IPC: C04B35/053 ; C23C14/34

Abstract:
本发明提供MgO烧结体及其制造方法,所述MgO烧结体的烧结密度接近理论密度,机械性质及热传导率优良,能够减少由气体产生造成的气氛的污染。多晶MgO烧结体具有在施加有单向压力的面上使多个(111)面取向的独特的晶体各向异性。所述多晶MgO烧结体经由单向加压烧结粒径为1μm以下的MgO原料粉末的工序和其后在存在0.05体积%以上氧的气氛中,以1273K以上的温度热处理1分钟以上的工序而得到。
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