本发明揭示一种半导体制造过程中器件隔离的方法，其包括如下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底表面沉积垫氧化层和垫氮化硅层；蚀刻垫氧化层、垫氮化硅层及硅衬底，在硅衬底上形成沟槽；在沟槽的内壁及底面形成一层衬氧化层；在沟槽内的衬氧化层表面形成一层衬氮化硅层；利用高密度等离子化学气相沉积工艺在硅衬底表面沉积氧化硅层；移除垫氮化硅层及垫氧化层；对衬氮化硅进行蚀刻使有源区与高密度等离子区之间形成一个空洞。本发明的方法由于在衬氧化层上又形成了一层衬氮化硅层，可以防止等离子体对有源区边角的损伤，避免出现硼聚集现象，以及阻止缺角的形成，并减轻高密度等离子体对硅衬底的应力。