发明授权
- 专利标题： 在ONO制造工艺中检测Cu含量的方法
- 专利标题（英）： Method for detecting Cu content in oxide-nitride-oxide (ONO) manufacturing process
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申请号： CN201010250542.6申请日： 2010-08-11
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公开(公告)号： CN101937859B公开(公告)日： 2015-02-11
- 发明人: 郭国超
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 郑玮
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
本发明提供了一种在ONO制造工艺中检测Cu含量的方法。本发明所提供的ONO制造工艺中检测Cu含量的方法包括：净化步骤，用于降低Cl元素含量；以及检测步骤，用于在净化步骤之后检测Cu元素含量。在本发明中，通过净化步骤降低Cl元素的含量，从而降低了Cl元素对Cu元素含量检测的干扰，降低了由于同时检测到Si和Cl而将Si和Cl的组合误检为Cu元素的风险，从而比较真实地反应晶片上Cu元素的含量。
公开/授权文献
- CN101937859A 在ONO制造工艺中检测Cu含量的方法 公开/授权日：2011-01-05
IPC分类:
