Invention Grant
- Patent Title: 用于高气体流速处理的环形等离子体室
- Patent Title (English): Toroidal plasma chamber for high gas flow rate process
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Application No.: CN200780101172.6Application Date: 2007-10-19
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Publication No.: CN101939812BPublication Date: 2013-05-01
- Inventor: X·陈 , A·考韦
- Applicant: MKS仪器股份有限公司
- Applicant Address: 美国马萨诸塞州
- Assignee: MKS仪器股份有限公司
- Current Assignee: MKS仪器股份有限公司
- Current Assignee Address: 美国马萨诸塞州
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 李玲; 谢喜堂
- International Application: PCT/US2007/081875 2007.10.19
- International Announcement: WO2009/051597 EN 2009.04.23
- Date entered country: 2010-04-16
- Main IPC: H01J37/32
- IPC: H01J37/32
Abstract:
一种用于激活工艺气体的等离子体室，包括：形成环形等离子体通道的至少四段，每一段具有一横截面积；以及在一段上形成的出口，该出口的横截面积大于其它段的横截面积。该等离子体室还包括：用于接收工艺气体的入口；以及压力通风室，用于在与出口相对的段的宽阔区域上引入工艺气体，以降低局部高等离子体阻抗和气流不稳定性，其中与出口相对的段限定多个孔以在等离子体通道中提供螺旋状气旋。
Public/Granted literature
- CN101939812A 用于高气体流速处理的环形等离子体室 Public/Granted day:2011-01-05
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