发明授权
- 专利标题: 柔性半导体器件的制造方法
- 专利标题(英): Manufacturing method for flexible semiconductor device
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申请号: CN200910108702.0申请日: 2009-07-03
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公开(公告)号: CN101944477B公开(公告)日: 2012-06-20
- 发明人: 王雪深 , 李群庆
- 申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L21/78 ; H01L21/50 ; H01L21/336 ; H01L33/00
摘要:
本发明涉及一种柔性半导体器件的制造方法,其包括以下步骤:提供一硬基底,该硬基底具有一表面;提供一柔性基底,该柔性基底具有一第一表面及与该第一表面相对设置的一第二表面,将该柔性基底的第一表面固定于所述硬基底的表面;采用半导体加工工艺直接在所述柔性基底的第二表面形成半导体器件;以及去除所述硬基底,形成一柔性半导体器件。上述制造方法可以避免在所述柔性基底上直接进行半导体加工以形成柔性半导体器件时,所述柔性基底自身发生卷曲及表面起伏的现象,便于进行加工且可以提高该柔性半导体器件的精度。
公开/授权文献
- CN101944477A 柔性半导体器件的制造方法 公开/授权日:2011-01-12
IPC分类: