发明授权
CN101949017B 孔间距和孔直径可独立调节的Si纳米孔阵列模板的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 孔间距和孔直径可独立调节的Si纳米孔阵列模板的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing Si nanopore array template with independently adjustable pore pitch and pore diameter
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申请号: CN201010289475.9申请日: 2010-09-19
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公开(公告)号: CN101949017B公开(公告)日: 2012-10-03
- 发明人: 胡明哲 , 顾豪爽 , 胡永明 , 王钊
- 申请人: 湖北大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市武昌区学院路11号
- 专利权人: 湖北大学
- 当前专利权人: 湖北大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市武昌区学院路11号
- 代理机构: 武汉金堂专利事务所
- 代理商 丁齐旭
- 主分类号: C23F17/00
- IPC分类号: C23F17/00 ; C25D11/12
摘要:
本发明提出了一种小孔径的Si纳米孔阵列模板的制备方法。其工艺步骤分为磁控溅射,两步阳极氧化,H3PO4扩孔和RIE图案传递。首先,通过调节磁控溅射的功率、时间以及两步阳极氧化中第一步的氧化时间可以控制基于Si片的AAO模板的最终厚度;通过控制两步阳极氧化中的电解液种类、电解电压以及H3PO4扩孔的时间可以控制基于Si片的AAO模板的孔间距和孔直径;而利用最后RIE图案传递过程中的遮蔽角效应,以AAO模板的最终厚度大小使传递到Si基片上的孔径缩小,以实现制备出的Si纳米孔阵列模板孔直径满足小孔径的要求。本发明所制备的Si模板将可广泛地应用于纳米THz波源器件,纳米阵列场发射平板显示器件,铁电、铁磁纳米存储器件及纳米光波导等微电子、光电子器件中。
公开/授权文献
- CN101949017A 孔间距和孔直径可独立调节的Si纳米孔阵列模板的制备方法 公开/授权日:2011-01-19
IPC分类: