发明授权
CN101950190B 用于升压电路中的N阱电位控制电路
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于升压电路中的N阱电位控制电路
- 专利标题(英): N-well potential control circuit used in booster circuit
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申请号: CN201010225702.1申请日: 2010-07-13
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公开(公告)号: CN101950190B公开(公告)日: 2012-10-03
- 发明人: 富聪 , 陈后鹏 , 宋志棠 , 陈小刚
- 申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 李仪萍
- 主分类号: G05F1/10
- IPC分类号: G05F1/10
摘要:
本发明提供一种用于升压电路中的N阱电位控制电路,其包括:采用MOS管和电流源构成且用于比较升压电路接入的输入电源Vin和输出的电压Vout的比较电路;分别接入输入电源Vin和电压Vout且输出互连以便与升压电路中的N阱连接的输入电源选择管和输出电压选择管;连接在所述比较电路输出端以便在输入电源选择管导通时能向所述输出电压选择管提供不低于Vout的关断信号的第一控制电路;以及与所述比较电路输出端及升压电路的输出端以便在输出电压选择管导通时能向所述输入电源选择管提供不低于Vin的关断信号的第二控制电路,由此可在输入电源电压低于升压电路的输出电压时,完全关闭输入电源选择管,进而有效降低功耗,增加电路的稳定性,并减小芯片面积。
公开/授权文献
- CN101950190A 用于升压电路中的N阱电位控制电路 公开/授权日:2011-01-19
IPC分类: