发明授权
CN101950685B 三维结构聚吡咯微电极及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 三维结构聚吡咯微电极及其制造方法
- 专利标题(英): Polypyrrole microelectrode with three-dimensional structure and preparation method thereof
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申请号: CN201010260851.1申请日: 2010-08-23
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公开(公告)号: CN101950685B公开(公告)日: 2012-05-23
- 发明人: 王晓峰 , 尤政
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市100084-82信箱
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市100084-82信箱
- 代理机构: 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理商 史双元
- 主分类号: H01G9/048
- IPC分类号: H01G9/048
摘要:
本发明公开了属于微电子机械制造技术领域的应用于微型超级电容器的一种三维结构聚吡咯微电极及其制造方法。该微电极采用MEMS技术在铜基片表面涂制一层SU-8环氧基负型化学放大胶膜,通过甩胶、前烘、光刻工艺处理、曝光、后烘、显影、漂洗和硬烘工艺,在铜基片表面形成由SU-8胶构成的呈阵列排布的柱状结构,并在铜基片和微柱阵列微电极表面覆盖一层由聚吡咯及导电性材料构成功能薄膜;本发明解决了普通聚吡咯二维平面结构电极无法储存大量电荷且内阻偏高等问题,进而达到了改善微型超级电容器储能特性和大电流放电特性。使使用本发明的微型超级电容器,在在传感器网络节点电源、微型机器人驱动电源、引信电源领域具有广泛的应用前景。
公开/授权文献
- CN101950685A 三维结构聚吡咯微电极及其制造方法 公开/授权日:2011-01-19