发明授权
- 专利标题: 选择性发射极太阳电池的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of selective emitter solar cell
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申请号: CN201010277113.8申请日: 2010-09-09
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公开(公告)号: CN101950780B公开(公告)日: 2012-08-08
- 发明人: 徐冬星 , 石劲超
- 申请人: 百力达太阳能股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省嘉兴市桐乡市河山镇工业园
- 专利权人: 百力达太阳能股份有限公司
- 当前专利权人: 百力达太阳能股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省嘉兴市桐乡市河山镇工业园
- 代理机构: 上海申汇专利代理有限公司
- 代理商 翁若莹
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种选择性发射极太阳电池的制备方法,包括以下步骤:提供单晶硅片进行表面织构化;通过第一丝网印刷网版对上述硅片印刷扩散渗透膜;所述第一丝网印刷网版所印刷的扩散渗透膜遮挡住非电极区,裸露待印刷电极区域,硅片在有渗透膜的非电极受光区域形成轻扩散层,而在没有渗透膜的待印刷电极区域形成重扩散层;然后进行刻蚀去除周边的PN结,再进行洗膜并去除磷硅玻璃;制作钝化及减反射层;用印刷网版印刷并烧结形成背面Ag电极、背面铝背场和正面Ag电极。本发明提供的选择性发射极太阳电池的制备方法,采用一次扩散就可形成选择性发射极太阳电池所需的轻重掺杂,减少了一次高温扩散过程,简化了工艺路径,使得成本更低。
公开/授权文献
- CN101950780A 选择性发射极太阳电池的制备方法 公开/授权日:2011-01-19
IPC分类: