发明公开
- 专利标题: 场致发射显示器
- 专利标题(英): Field emission display
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申请号: CN200880124564.9申请日: 2008-12-18
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公开(公告)号: CN101952929A公开(公告)日: 2011-01-19
- 发明人: Q·胡 , L·科米特夫
- 申请人: 光实验室瑞典股份公司
- 申请人地址: 瑞典萨尔特舍巴登
- 专利权人: 光实验室瑞典股份公司
- 当前专利权人: Q.胡,L.科米特夫
- 当前专利权人地址: 瑞典萨尔特舍巴登
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 周建秋; 王凤桐
- 优先权: 08150191.8 2008.01.11 EP
- 国际申请: PCT/EP2008/010831 2008.12.18
- 国际公布: WO2009/086895 EN 2009.07.16
- 进入国家日期: 2010-07-12
- 主分类号: H01J9/02
- IPC分类号: H01J9/02 ; H01J1/304
摘要:
本发明涉及一种制作场致发射显示器(300)的方法,该方法包括将电子发射接收器(302)排列在真空箱中,在电子发射接收器的附近排列波长转化材料(304),和在真空箱中排列电子发射源(100),电子发射源适用于向电子发射接收器发射电子,其中电子发射源是通过以下步骤形成的:提供基底,在基底上形成多个ZnO-纳米结构,其中每个ZnO-纳米结构具有第一端和第二端,第一端与基底连接,排列电绝缘体使ZnO-纳米结构相互电绝缘,将电传导部件与ZnO-纳米结构选择的第二端连接,将支撑结构排列在电传导部件上,并去除基底,由此暴露ZnO-纳米结构的第一端。本发明的优势包括例如增加场致发射显示器的寿命,因为存在更小部分的高度不齐的纳米结构。而且,由于未因为纳米结构高度不齐而使用昂贵的腐蚀、磨光、或相似的方法步骤,从而可以获得更便宜的终产品。本发明还涉及相应的场致发射显示器。