发明授权
CN101956181B 过渡金属镍、钴氧化物纳米线阵列制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 过渡金属镍、钴氧化物纳米线阵列制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of transition metal nickel oxide and cobalt oxide nanowire array
-
申请号: CN201010213221.9申请日: 2010-06-30
-
公开(公告)号: CN101956181B公开(公告)日: 2012-01-04
- 发明人: 魏志鹏 , 方铉 , 李金华 , 王晓华 , 方芳 , 赵东旭 , 王菲 , 吴韬
- 申请人: 长春理工大学
- 申请人地址: 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
- 专利权人: 长春理工大学
- 当前专利权人: 长春理工大学
- 当前专利权人地址: 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
- 代理机构: 长春科宇专利代理有限责任公司
- 代理商 曲博
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C23C16/40
摘要:
过渡金属镍、钴氧化物纳米线阵列制备方法属于纳米材料技术领域。现有技术采用化学方法制备NiO纳米材料,但是,所制备的NiO纳米线排列混乱,未形成良好的阵列形貌。本发明采用管式炉、真空管等进行制备,将过渡金属衬底置于真空管中,将过渡金属氯化物等重量地分别置于两个一端封闭的管状容器中,并将这两个管状容器也置于真空管中,这两个管状容器的开口端相对朝向过渡金属衬底两侧边缘;将真空管放入管式炉中,启动真空泵使真空管内腔处在真空状态;管式炉升温至500~700℃,自进气管通入O2/Ar混合气体,O2占混合气体体积的5~15%,继续升温至刻蚀温度,刻蚀温度在900~980℃范围内确定,保持10~30分钟。
公开/授权文献
- CN101956181A 过渡金属镍、钴氧化物纳米线阵列制备方法 公开/授权日:2011-01-26
IPC分类: