半导体工艺及可堆栈式半导体封装结构
摘要:
本发明关于一种半导体工艺,其包括以下步骤:(1)形成一第一导电材料于一基板的一上表面,以形成数个第一导电凸块;(2)电性连接一半导体组件至该基板的上表面;(3)形成一封胶材料,以形成一封胶结构,该封胶结构覆盖这些第一导电凸块及该半导体组件,这些第一导电凸块的顶端凹陷于该封胶结构的一上表面之下;(4)形成数个邻接于该封胶结构的上表面的开口,这些开口显露这些第一导电凸块的顶端;(5)形成一第二导电材料于这些开口中,以形成数个第二导电凸块;及(6)形成数条切割狭缝,这些切割狭缝延伸通过该封胶结构及该基板。
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