一种相变随机存取存储器及制造方法、编程方法。所述相变随机存取存储器包括：开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括下电极、下电极上的电阻层、电阻层上的上电极，其中，所述电阻层的材料至少包括第一相变金属的氧化物和第二相变金属的氧化物，所述第二相变金属的电负性数值小于所述第一相变金属，所述上电极和下电极采用电负性数值小于所述第一相变金属的金属，或者采用贵金属。对所形成的相变随机存取存储器进行编程时，只需改变电阻层中一种相变金属氧化物就可实现复位或置位。