发明公开
CN101958640A 带有带隙基准结构的欠压锁存电路
无效 - 撤回
- 专利标题: 带有带隙基准结构的欠压锁存电路
- 专利标题(英): Undervoltage latch circuit with band gap reference structure
-
申请号: CN201010508409.6申请日: 2010-10-15
-
公开(公告)号: CN101958640A公开(公告)日: 2011-01-26
- 发明人: 赵鹤鸣 , 李富华 , 谢卫国 , 王伟 , 黄秋萍 , 江石根
- 申请人: 苏州大学 , 苏州华芯微电子股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号
- 专利权人: 苏州大学,苏州华芯微电子股份有限公司
- 当前专利权人: 苏州大学,苏州华芯微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 陶海锋
- 主分类号: H02M1/32
- IPC分类号: H02M1/32
摘要:
本发明公开了一种带有带隙基准结构的欠压锁存电路,包括分压器、带隙基准电路、比较器和逻辑电路,其特征在于:所述带隙基准电路和比较器采用带隙基准比较器实现,带隙基准比较器由带隙基准结构和负载构成,分压器的分压电压输出端连接带隙基准比较器的比较电压输入端,带隙基准比较器的输出端连接逻辑电路的输入端,经逻辑电路整形后构成欠压锁存电路的控制输出端;逻辑电路与分压器间设有反馈控制回路,当带隙基准比较器输出高电平时,逻辑电路经反馈控制回路使分压器输出较高的分压电压。本发明通过设计带隙基准结构构建了带隙基准比较器,电路结构明显简化,电路面积更小,成本更低;响应速度快;温度漂移小;功耗低。