用于评估集成电路的可靠性的方法和系统
摘要:
本发明涉及用于评估集成电路的可靠性的方法和系统。本发明提供一种方法。该方法包括:在第一操作条件下操作多个场效应晶体管(FET);使所述多个FET中的至少一个的操作方向反转持续一短时长;测量在所述短时长期间所述多个FET中的所述一个的第二操作条件;计算在所述第二操作条件与参考操作条件之间的差异;以及基于在所述第二操作条件与所述参考操作条件之间的所述差异而提供可靠性指示信号,其中所述多个FET被用于单个集成电路(IC)中。
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