发明授权
CN101969075B 一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法
- 专利标题(英): Double-layer anti-reflective film for crystalline silicon solar battery and preparation method thereof
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申请号: CN201010249434.7申请日: 2010-08-10
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公开(公告)号: CN101969075B公开(公告)日: 2012-05-09
- 发明人: 张凤 , 王栩生 , 章灵军
- 申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯(中国)投资有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
- 专利权人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯(中国)投资有限公司
- 当前专利权人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯(中国)投资有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 陶海锋
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜,该减反射膜是由两层膜构成,第一层膜设在晶体硅太阳能电池的硅片衬底的表面,第二层膜设在第一层膜的表面,第一层膜为二氧化硅薄膜,其厚度为10~20nm,折射率为1.45~1.47;第二层膜为二氧化钛薄膜,其厚度为50~60nm,折射率为2.15~2.45。本发明的减反射膜可以明显降低电池表面对光的反射,提高晶体硅太阳能电池的光电转化效率。
公开/授权文献
- CN101969075A 一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法 公开/授权日:2011-02-09
IPC分类: