发明授权
CN101971291B 双掩模自对准双图案化技术(SaDPT)工艺
失效 - 权利终止
- 专利标题： 双掩模自对准双图案化技术(SaDPT)工艺
- 专利标题（英）： Double mask self-aligned double patterning technology (sadpt) process
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申请号： CN200980104994.9申请日： 2009-01-22
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公开(公告)号： CN101971291B公开(公告)日： 2013-04-03
- 发明人: S·M·列扎·萨贾迪 , 李路明 , 安德鲁·R·罗马诺
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理商 周文强; 李献忠
- 优先权： 61/027,299 2008.02.08 US
- 国际申请： PCT/US2009/031713 2009.01.22
- 国际公布： WO2009/099769 EN 2009.08.13
- 进入国家日期： 2010-08-09
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027
摘要：
提供一种通过在无机掩模层上方形成有机掩模层、在该有机掩模层上方形成含硅掩模层、在该含硅掩模层上方形成图案化掩模层、通过该图案化掩模蚀刻该含硅掩模层、在该被蚀刻含硅掩模层上方沉积聚合物、在该聚合物上方沉积含硅薄膜、平坦化该含硅薄膜、有选择地去除该聚合物留下该含硅薄膜、蚀刻该有机层以及蚀刻该无机层在蚀刻层中提供特征的方法。
公开/授权文献
- CN101971291A 双掩模自对准双图案化技术(SaDPT)工艺 公开/授权日：2011-02-09
IPC分类:
