Invention Publication
CN101989639A 高效率发光二极管
无效 - 撤回
- Patent Title: 高效率发光二极管
- Patent Title (English): High-efficiency light emitting diode
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Application No.: CN200910166021.XApplication Date: 2009-08-07
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Publication No.: CN101989639APublication Date: 2011-03-23
- Inventor: 陈瑞鸿 , 蓝培轩 , 蓝钰邴
- Applicant: 福华电子股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾台北市
- Assignee: 福华电子股份有限公司
- Current Assignee: 福华电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾台北市
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 周国城
- Main IPC: H01L33/00
- IPC: H01L33/00
Abstract:
本发明公开了一种高效率发光二极管,包括:基板、外延层结构、正负电极、透明封胶、以及聚酰亚胺层。聚酰亚胺层覆盖住外延层结构、基板的表面,并再经由透明封胶将聚酰亚胺层、基板、外延层结构、正负电极包覆于其内。本发明的聚酰亚胺层具有高于现有发光二极管封装材料的折射率,可降低光源经由外延层结构、基板至透明封胶接面的全反射现象,从而降低内部全反射所造成的光辐射通量损失,以提高出光率。
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